Антава

INFINEON

Транзистор IPN50R2K0CEATMA1

IPN50R2K0CEATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ CE
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
2.3 A
Рассеиваемая мощность
5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPN50R2K0CEATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ CE
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current2.3 A
Рассеиваемая мощность5 W
КорпусPG-SOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223

Документация

Документ производителя