Антава

INFINEON

Транзистор IPL65R660E6AUMA1

IPL65R660E6AUMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
7 A
Power dissipation
63 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPL65R660E6AUMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current7 A
Power dissipation63 W
КорпусPG-VSON-4
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.66 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-VSON-4

Документация

Документ производителя