Антава

INFINEON

Транзистор IPL65R1K5C6SATMA1

IPL65R1K5C6SATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
3 A
Рассеиваемая мощность
26.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPL65R1K5C6SATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current3 A
Рассеиваемая мощность26.6 W
КорпусPG-VSON-4
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4

Документация

Документ производителя