INFINEON
Транзистор IPL65R1K5C6SATMA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- CoolMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 650 V
- Drain current
- 3 A
- Рассеиваемая мощность
- 26.6 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 6 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%264,24 ₽
Сумма · с НДС 22%264,24 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 264,24 ₽ | |
| от 3 | 225,16 ₽ | |
| от 10 | 180,50 ₽ | |
| от 100 | 158,17 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IPL65R1K5C6SATMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | CoolMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 650 V |
| Drain current | 3 A |
| Рассеиваемая мощность | 26.6 W |
| Корпус | PG-VSON-4 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 1.5 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.