Антава

INFINEON

Транзистор IPI65R310CFDXKSA1

IPI65R310CFDXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11.4 A
Power dissipation
104.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPI65R310CFDXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current11.4 A
Power dissipation104.2 W
КорпусPG-TO262-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.31 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO262-3

Документация

Документ производителя