Антава

INFINEON

Транзистор IPI65R280C6XKSA1

IPI65R280C6XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
13.8 A
Power dissipation
104 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPI65R280C6XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current13.8 A
Power dissipation104 W
КорпусPG-TO262-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3

Документация

Документ производителя