Антава

INFINEON

Транзистор IPI60R190C6XKSA1

IPI60R190C6XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ C6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
20.2 A
Рассеиваемая мощность
151 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPI60R190C6XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ C6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current20.2 A
Рассеиваемая мощность151 W
КорпусPG-TO262-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3

Документация

Документ производителя