Антава

INFINEON

Транзистор IPI50R350CPXKSA1

IPI50R350CPXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
10 A
Рассеиваемая мощность
89 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPI50R350CPXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current10 A
Рассеиваемая мощность89 W
КорпусPG-TO262-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.35 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3

Документация

Документ производителя