Антава

INFINEON

Транзистор IPI180N10N3GXKSA1

IPI180N10N3GXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
43 A
Рассеиваемая мощность
71 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 459 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%268,04 ₽

Сумма · с НДС 22%268,04 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1268,04 ₽
от 5230,55 ₽
от 25185,56 ₽
от 250161,20 ₽
от 1000149,95 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPI180N10N3GXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current43 A
Рассеиваемая мощность71 W
КорпусPG-TO262-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3

Документация

Документ производителя