Антава

INFINEON

Транзистор IPI120N04S402AKSA1

IPI120N04S402AKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ T2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
120 A
Рассеиваемая мощность
158 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPI120N04S402AKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ T2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current120 A
Рассеиваемая мощность158 W
КорпусPG-TO262-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge103nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 120A; 158W

Документация

Документ производителя