Антава

INFINEON

Транзистор IPI086N10N3GXKSA1

IPI086N10N3GXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 93 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%380,61 ₽

Сумма · с НДС 22%380,61 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1380,61 ₽
от 100193,06 ₽
от 500169,16 ₽
от 1000152,61 ₽
от 1250147,09 ₽
от 1500141,58 ₽
от 2000137,90 ₽
от 2500136,06 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPI086N10N3GXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current80 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусPG-TO262-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.6 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3

Документация

Документ производителя