Антава

INFINEON

Транзистор IPI076N12N3GAKSA1

IPI076N12N3GAKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
168 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 146 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%710,39 ₽

Сумма · с НДС 22%710,39 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1710,39 ₽
от 10536,07 ₽
от 50378,62 ₽
от 100333,64 ₽
от 250298,03 ₽
от 500279,28 ₽
от 1000268,04 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPI076N12N3GAKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность168 W
КорпусPG-TO262-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.6 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 100A; 168W; PG-TO262-3

Документация

Документ производителя