Антава

INFINEON

Транзистор IPI076N12N3GAKSA1

IPI076N12N3GAKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120 V
Drain current
100 A
Power dissipation
168 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPI076N12N3GAKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120 V
Drain current100 A
Power dissipation168 W
КорпусPG-TO262-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.6 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 100A; 168W; PG-TO262-3

Документация

Документ производителя