INFINEON
Транзистор IPI040N06N3GXKSA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- OptiMOS™ 3
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 90 A
- Рассеиваемая мощность
- 188 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 122 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%244,27 ₽
Сумма · с НДС 22%244,27 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 244,27 ₽ | |
| от 3 | 216,30 ₽ | |
| от 10 | 192,06 ₽ | |
| от 50 | 173,41 ₽ | |
| от 250 | 160,36 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IPI040N06N3GXKSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 90 A |
| Рассеиваемая мощность | 188 W |
| Корпус | PG-TO262-3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 4 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.