Антава

INFINEON

Транзистор IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
90 A
Power dissipation
188 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPI040N06N3GXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current90 A
Power dissipation188 W
КорпусPG-TO262-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3

Документация

Документ производителя