Антава

INFINEON

Транзистор IPI020N06NAKSA1

IPI020N06NAKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
120 A
Power dissipation
214 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPI020N06NAKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current120 A
Power dissipation214 W
КорпусPG-TO262-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 214W; PG-TO262-3

Документация

Документ производителя