INFINEON

Транзистор IPG20N10S4L35ATMA1

PG-TDSON-8-4Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 17 A
Pulsed drain current: 80 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IPG20N10S4L35ATMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	OptiMOS™ T2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	17 A
Pulsed drain current	80 A
Рассеиваемая мощность	43 W
Корпус	PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage	±16 V
On-state resistance	35 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A

Документация

Документы пока не предоставлены.