Антава

INFINEON

Транзистор IPG20N06S4L26ATMA1

IPG20N06S4L26ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
20 A
Рассеиваемая мощность
33 W
Корпус
PG-TDSON-8

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPG20N06S4L26ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current20 A
Рассеиваемая мощность33 W
КорпусPG-TDSON-8
On-state resistance26 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 33W; PG-TDSON-8

Документация

Документы пока не предоставлены.