Антава

INFINEON

Транзистор IPG20N04S409ATMA1

IPG20N04S409ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
OptiMOS™ T2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
20 A
Рассеиваемая мощность
54 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPG20N04S409ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияOptiMOS™ T2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current20 A
Рассеиваемая мощность54 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21.7nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W

Документация

Документ производителя