Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPG20N04S4-12

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40V
Drain current
20A
Pulsed drain current
80A
Power dissipation
41W
On-state resistance
12.2mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPG20N04S4-12
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40V
Drain current20A
Pulsed drain current80A
Power dissipation41W
On-state resistance12.2mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 20A; Idm: 80A; 41W

Документация

Документы пока не предоставлены.