INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPF042N10NF2SATMA1

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 139A
Pulsed drain current: 556A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IPF042N10NF2SATMA1
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	StrongIRFET™ 2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100V
Drain current	139A
Pulsed drain current	556A
Power dissipation	167W
Корпус	D2PAK-7
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	4.25mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	57nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7

Документация

Документы пока не предоставлены.