INFINEON
Транзистор IPF019N12NM6ATMA1
TO263-7Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 223 A
- Рассеиваемая мощность
- 188 W
- Корпус
- TO263-7
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | IPF019N12NM6ATMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 223 A |
| Рассеиваемая мощность | 188 W |
| Корпус | TO263-7 |
| On-state resistance | 1.7 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 108nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 223A; 188W; TO263-7
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.