Антава

INFINEON

Транзистор IPF016N10NF2SATMA1

IPF016N10NF2SATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
274 A
Power dissipation
300 W
Корпус
D2PAK-7
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPF016N10NF2SATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current274 A
Power dissipation300 W
КорпусD2PAK-7
On-state resistance1.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge161nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 274A; 300W; D2PAK-7

Документация

Документы пока не предоставлены.