Антава

INFINEON

Транзистор IPF013N04NF2SATMA1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
StrongIRFET™ 2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
239 A
Pulsed drain current
956 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPF013N04NF2SATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияStrongIRFET™ 2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current239 A
Pulsed drain current956 A
Power dissipation231 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge106nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 239A; Idm: 956A; 231W; D2PAK-7

Документация

Документы пока не предоставлены.