INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPF009N04NF2SATMA1

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 302A
Power dissipation: 375W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IPF009N04NF2SATMA1
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40V
Drain current	302A
Power dissipation	375W
Корпус	TO263-7
On-state resistance	0.9mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	0.21µC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 302A; 375W; TO263-7

Документация

Документы пока не предоставлены.