Антава

INFINEON

Транзистор IPDQ65R099CFD7AXTMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Drain-source voltage
650 V
Drain current
29 A
Pulsed drain current
82 A
Power dissipation
186 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 750 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%617,33 ₽

Сумма · с НДС 22%462 997,50 ₽

От 750 шт. · шаг 750

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 750617,33 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPDQ65R099CFD7AXTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Drain-source voltage650 V
Drain current29 A
Pulsed drain current82 A
Power dissipation186 W
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge39nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 29A; Idm: 82A; 186W

Документация

Документы пока не предоставлены.