Антава

INFINEON

Транзистор IPDQ65R099CFD7AXTMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Drain-source voltage
650 V
Drain current
29 A
Pulsed drain current
82 A
Power dissipation
186 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPDQ65R099CFD7AXTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Drain-source voltage650 V
Drain current29 A
Pulsed drain current82 A
Power dissipation186 W
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge39nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 29A; Idm: 82A; 186W

Документация

Документы пока не предоставлены.