Антава

INFINEON

Транзистор IPDQ65R018CM8XTMA1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Drain-source voltage
650 V
Drain current
127 A
Power dissipation
625 W
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPDQ65R018CM8XTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Drain-source voltage650 V
Drain current127 A
Power dissipation625 W
Gate-source voltage20 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge173nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 127A; 625W

Документация

Документы пока не предоставлены.