Антава

INFINEON

Транзистор IPDQ65R008CM8XTMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Drain-source voltage
650 V
Drain current
270 A
Рассеиваемая мощность
1.249 kW
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPDQ65R008CM8XTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Drain-source voltage650 V
Drain current270 A
Рассеиваемая мощность1.249 kW
Gate-source voltage20 V
On-state resistance8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 270A; 1.249kW

Документация

Документы пока не предоставлены.