INFINEON

Транзистор IPDD60R150G7XTMA1

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600 V
Drain current: 16 A
Pulsed drain current: 45 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IPDD60R150G7XTMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	CoolMOS™ G7
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	600 V
Drain current	16 A
Pulsed drain current	45 A
Power dissipation	95 W
Корпус	PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.15 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	23nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A

Документация

Документ производителя