Антава

INFINEON

Транзистор IPDD60R125G7XTMA1

IPDD60R125G7XTMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ G7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
54 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPDD60R125G7XTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ G7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current20 A
Pulsed drain current54 A
Power dissipation120 W
КорпусPG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.125 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge27nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A

Документация

Документ производителя