Антава

INFINEON

Транзистор IPDD60R102G7XTMA1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ G7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
23 A
Pulsed drain current
66 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPDD60R102G7XTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ G7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current23 A
Pulsed drain current66 A
Power dissipation139 W
КорпусPG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.102 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A

Документация

Документ производителя