Антава

INFINEON

Транзистор IPD95R750P7ATMA1

IPD95R750P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
950 V
Drain current
5.5 A
Power dissipation
73 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD95R750P7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage950 V
Drain current5.5 A
Power dissipation73 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.75 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; DPAK; ESD

Документация

Документ производителя