Антава

INFINEON

Транзистор IPD90R1K2C3BTMA1

IPD90R1K2C3BTMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
3.2 A
Power dissipation
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD90R1K2C3BTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current3.2 A
Power dissipation83 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя