Антава

INFINEON

Транзистор IPD90N04S304ATMA1

IPD90N04S304ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ T
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
90 A
Power dissipation
136 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD90N04S304ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ T
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current90 A
Power dissipation136 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge60nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 90A; 136W

Документация

Документ производителя