Антава

INFINEON

Транзистор IPD90N03S4L02ATMA1

IPD90N03S4L02ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ T2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
90 A
Power dissipation
136 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD90N03S4L02ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ T2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current90 A
Power dissipation136 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance2.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge110nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W

Документация

Документ производителя