Антава

INFINEON

Транзистор IPD80R900P7ATMA1

IPD80R900P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
3.9 A
Power dissipation
45 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 453 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%376,10 ₽

Сумма · с НДС 22%376,10 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1376,10 ₽
от 10201,35 ₽
от 25182,54 ₽
от 50169,62 ₽
от 75162,60 ₽
от 100157,66 ₽
от 500132,20 ₽
от 1000123,47 ₽
от 2500118,34 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPD80R900P7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current3.9 A
Power dissipation45 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.9 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD

Документация

Документ производителя