Антава

INFINEON

Транзистор IPD80R900P7ATMA1

IPD80R900P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
3.9 A
Power dissipation
45 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD80R900P7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current3.9 A
Power dissipation45 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.9 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD

Документация

Документ производителя