Антава

INFINEON

Транзистор IPD80R750P7ATMA1

IPD80R750P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
4.6 A
Power dissipation
51 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD80R750P7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current4.6 A
Power dissipation51 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.75 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO252-3; ESD

Документация

Документ производителя