Антава

INFINEON

Транзистор IPD80R600P7ATMA1

IPD80R600P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
8 A
Power dissipation
60 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD80R600P7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current8 A
Power dissipation60 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance510 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 60W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.