Антава

INFINEON

Транзистор IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
1.7 A
Power dissipation
22 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD80R2K4P7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current1.7 A
Power dissipation22 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.5nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 22W; PG-TO252-3; ESD

Документация

Документ производителя