Антава

INFINEON

Транзистор IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
1.9 A
Рассеиваемая мощность
24 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 440 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%279,89 ₽

Сумма · с НДС 22%279,89 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1279,89 ₽
от 10140,32 ₽
от 20131,87 ₽
от 100113,46 ₽
от 200105,76 ₽
от 50097,49 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPD80R2K0P7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current1.9 A
Рассеиваемая мощность24 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD

Документация

Документ производителя