Антава

INFINEON

Транзистор IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
2.7 A
Рассеиваемая мощность
32 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD80R1K4P7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current2.7 A
Рассеиваемая мощность32 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD

Документация

Документ производителя