Антава

INFINEON

Транзистор IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
3.1A
Power dissipation
37W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD80R1K2P7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current3.1A
Power dissipation37W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.2Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD

Документация

Документ производителя