Антава

INFINEON

Транзистор IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
3.1 A
Рассеиваемая мощность
37 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 495 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%330,04 ₽

Сумма · с НДС 22%330,04 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1330,04 ₽
от 10217,42 ₽
от 50157,56 ₽
от 100138,92 ₽
от 125134,07 ₽
от 250120,27 ₽
от 500109,45 ₽
от 1000101,06 ₽
от 250096,96 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPD80R1K2P7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current3.1 A
Рассеиваемая мощность37 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD

Документация

Документ производителя