Антава

INFINEON

Транзистор IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ CE
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5.7 A
Рассеиваемая мощность
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD80R1K0CEATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ CE
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current5.7 A
Рассеиваемая мощность83 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; PG-TO252-3

Документация

Документы пока не предоставлены.