Антава

INFINEON

Транзистор IPD70R1K4P7SAUMA1

IPD70R1K4P7SAUMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
700 V
Drain current
2.5 A
Рассеиваемая мощность
22.7 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPD70R1K4P7SAUMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage700 V
Drain current2.5 A
Рассеиваемая мощность22.7 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя