INFINEON

Транзистор IPD70N10S312ATMA1

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 48 A
Pulsed drain current: 280 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IPD70N10S312ATMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	OptiMOS® -T
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	48 A
Pulsed drain current	280 A
Power dissipation	125 W
Корпус	PG-TO252-3-11
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	11.1 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 48A; Idm: 280A

Документация

Документы пока не предоставлены.