Антава

INFINEON

Транзистор IPD70N10S3-12

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
70 A
Pulsed drain current
280 A
Power dissipation
125 W
Корпус
DPAK3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD70N10S3-12
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current70 A
Pulsed drain current280 A
Power dissipation125 W
КорпусDPAK3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge51nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 70A; Idm: 280A; 125W; DPAK3

Документация

Документы пока не предоставлены.