Антава

INFINEON

Транзистор IPD65R950CFDBTMA1

IPD65R950CFDBTMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
3.9 A
Power dissipation
36.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPD65R950CFDBTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current3.9 A
Power dissipation36.7 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.95 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя